SI4483ADY-T1-GE3, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор SI4483ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Партномер (MPN)
SI4483ADY-T1-GE3
Производитель
Vishay Siliconix
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры SI4483ADY-T1-GE3

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

SI4483ADY-T1-GE3 от Vishay Siliconix — P-канальный MOSFET на −30 В с током стока 19,2 А. Сопротивление открытого канала 8,8 мОм при управляющем напряжении затвора 4,5–10 В.

Характеристики

Тип канала
P
Ток стока, А
19,2
Заряд затвора, нКл
135
Ёмкость затвора, пФ
3900
Рассеиваемая мощность, Вт
2,9
Сопротивление канала, мОм
8,8
Напряжение сток-исток макс., В
−30
Напряжение затвор-исток макс., В
25
Вес
3 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI4483ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.