MOSFET-транзистор SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
- Партномер (MPN)
- SIR873DP-T1-GE3
- Производитель
- Vishay Siliconix
- Корпус
- PowerPAK SO-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SIR873DP-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SIR873DP-T1-GE3 — P-канальный MOSFET серии TrenchFET производства Vishay Siliconix в корпусе PowerPAK SO-8. Напряжение сток-исток 150 В, ток стока 37 А, сопротивление открытого канала 0,0475 Ом.
- Максимальное пороговое напряжение затвора: 4 В
- Энергия лавинного пробоя: 80 мДж
- Испытания: 100 % по Rg и UIS
Характеристики
- Тип
- P-канальный MOSFET
- Корпус
- PowerPAK SO-8
- Ток стока, А
- 37
- Напряжение сток-исток, В
- 150
- Сопротивление канала, Ом
- 0,0475
- Энергия лавинного пробоя, мДж
- 80
- Макс. пороговое напряжение затвора, В
- 4
- Вес
- 12,200 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix». Поставка под заказ от 1 шт.