SIZ328DT-T1-GE3, корпус SMD (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор SIZ328DT-T1-GE3 Vishay

Партномер (MPN)
SIZ328DT-T1-GE3
Производитель
Vishay
Корпус
SMD
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
Пассивные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры SIZ328DT-T1-GE3

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

Сдвоенный N-канальный MOSFET SIZ328DT-T1-GE3 от Vishay на напряжение сток-исток 25 В выполнен по технологии TrenchFET Gen IV в корпусе PowerPAIR 3×3. Номинальный ток 30 А.

Характеристики

Тип
Сдвоенный N-канальный MOSFET
Ток, А
30
Корпус
PowerPAIR 3×3
Напряжение сток-исток, В
25
Вес
0,237 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SIZ328DT-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.