MOSFET-транзистор SPP35N10 Infineon
- Партномер (MPN)
- SPP35N10
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SPP35N10
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SPP35N10 — N-канальный MOSFET серии SIPMOS производства Infineon в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 100 В, ток стока 35 А при 25 °C, сопротивление открытого канала 44 мОм. Заряд затвора 65 нКл, рассеиваемая мощность 150 Вт, максимальное напряжение затвор-исток ±20 В. При температуре корпуса 100 °C ток стока составляет 26,4 А; допустима рабочая температура 175 °C.
Характеристики
- Структура
- N-канальный
- Заряд затвора
- 65 нКл
- Ток стока (25 °C)
- 35 А
- Сопротивление канала
- 44 мОм
- Напряжение сток-исток
- 100 В
- Рассеиваемая мощность
- 150 Вт
- Напряжение затвор-исток макс.
- ±20 В
- Вес
- 0,900 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SPP35N10 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.