MOSFET-транзистор STE70NM60 STMicroelectronics
- Партномер (MPN)
- STE70NM60
- Производитель
- STMicroelectronics
- Корпус
- SOT-227
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры STE70NM60
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
STE70NM60 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics семейства MDmesh с защитой затвора стабилитроном, в модульном корпусе ISOTOP (SOT-227). Напряжение сток-исток 600 В, типовое сопротивление открытого канала 50 мОм, рассеиваемая мощность 600 Вт.
- Технология MDmesh сочетает процесс Multiple Drain с горизонтальной топологией PowerMESH
- Высокие допустимые dv/dt и лавинная энергия, низкое сопротивление затвора, малые входная ёмкость и заряд затвора
- Максимальное напряжение затвор-исток ±30 В
Характеристики
- Корпус
- ISOTOP (SOT-227)
- Тип канала
- N
- Напряжение сток-исток, В
- 600
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 600
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±30
- Сопротивление канала типовое, мОм
- 50
- Вес
- 33,550 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STE70NM60 STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.