MOSFET-транзистор STH12N120K5-2 STMicroelectronics
- Партномер (MPN)
- STH12N120K5-2
- Производитель
- STMicroelectronics
- Корпус
- H2PAK-2
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры STH12N120K5-2
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
STH12N120K5-2 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics семейства MDmesh K5 в корпусе H²PAK-2. Напряжение сток-исток 1200 В, ток стока 12 А, типовое сопротивление открытого канала 0,62 Ом, максимальное — 0,69 Ом.
- Рассеиваемая мощность 250 Вт, максимальное напряжение затвор-исток ±30 В
- Заряд затвора 44,2 нКл, входная ёмкость 1370 пФ
- Защита затвора стабилитроном, сверхмалый заряд затвора, стопроцентная проверка на лавинный пробой
Характеристики
- Корпус
- H²PAK-2
- Тип канала
- N
- Ток стока, А
- 12
- Заряд затвора, нКл
- 44,2
- Входная ёмкость, пФ
- 1370
- Напряжение сток-исток, В
- 1200
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 250
- Сопротивление канала макс., Ом
- 0,69
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±30
- Сопротивление канала типовое, Ом
- 0,62
- Вес
- 55 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STH12N120K5-2 STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.