STP4NK80Z, корпус TO-220 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор STP4NK80Z STMicroelectronics

Партномер (MPN)
STP4NK80Z
Производитель
STMicroelectronics
Корпус
TO-220
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы STMicroelectronics
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры STP4NK80Z

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

STP4NK80Z от STMicroelectronics — высоковольтный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220 с максимальным напряжением сток-исток 800 В. Ток стока — 3 А, сопротивление открытого канала 3,5 Ом при 10 В на затворе, рассеиваемая мощность 80 Вт. Заряд затвора 22,5 нКл, входная ёмкость 575 пФ, допустимое напряжение затвора до 30 В.

Характеристики

Канал
N
Корпус
TO-220
Ток стока, А
3
Заряд затвора, нКл
22,5
Ёмкость затвора, пФ
575
Температура перехода, °C
-55…150
Рассеиваемая мощность, Вт
80
Напряжение затвора макс., В
30
Напряжение сток-исток макс., В
800
Сопротивление канала при 10 В, Ом
3,5
Вес
0,362 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STP4NK80Z STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.