STW55NM60ND, корпус TO-247 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор STW55NM60ND STMicroelectronics

Партномер (MPN)
STW55NM60ND
Производитель
STMicroelectronics
Корпус
TO-247
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы STMicroelectronics
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры STW55NM60ND

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

MOSFET серии FDmesh II STW55NM60ND (STMicroelectronics): N-канал, 600 В, 51 А, типовое сопротивление открытого канала 47 мОм, корпус TO-247. Во встроенный диод заложено быстрое восстановление, что подходит для мостовых схем и ZVS-преобразователей с фазовым сдвигом.

Заряд затвора 190 нКл, входная ёмкость 5800 пФ, мощность рассеяния 350 Вт.

Характеристики

Канал
N
Серия
FDmesh II
Корпус
TO-247
Заряд затвора, нКл
190
Входная ёмкость, пФ
5800
Ток стока при 25 °C, А
51
Напряжение сток-исток, В
600
Рассеиваемая мощность, Вт
350
Напряжение затвор-исток макс., В
25
Сопротивление открытого канала тип., мОм
47
Вес
12,563 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STW55NM60ND STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.