MOSFET-транзистор TK10A60D Toshiba
- Партномер (MPN)
- TK10A60D
- Производитель
- Toshiba
- Корпус
- TO-220F
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры TK10A60D
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
TK10A60D — N-канальный полевой МОП-транзистор Toshiba в корпусе TO-220SIS. Напряжение сток-исток 600 В, ток стока 10 А, сопротивление открытого канала типовое 0,58 Ом, мощность рассеяния 45 Вт.
Напряжение затвор-исток ±30 В, пороговое напряжение 2–4 В, ток утечки стока не более 10 мкА при 600 В, крутизна 6,0 См (тип.), максимальная температура канала 150 °C. Транзистор работает в режиме обогащения.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Корпус
- TO-220SIS
- Ток стока, А
- 10
- Мощность рассеяния, Вт
- 45
- Пороговое напряжение, В
- 2…4
- Напряжение сток-исток, В
- 600
- Напряжение затвор-исток, В
- ±30
- Температура канала макс., °C
- 150
- Сопротивление открытого канала (тип.), Ом
- 0,58
- Вес
- 0,794 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор TK10A60D Toshiba». Поставка под заказ от 1 шт.