TLV272IDR, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Микросхема TLV272IDR Texas Instruments

Партномер (MPN)
TLV272IDR
Производитель
Texas Instruments
Корпус
SOIC-8
Тип
Микросхема
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры TLV272IDR

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

TLV272IDR — двухканальный операционный усилитель Texas Instruments в корпусе SOIC-8 с выходом rail-to-rail; буква R в обозначении относится к поставке на ленте. Напряжение питания — от 2,7 до 16 В, что позволяет питать его от Li-Ion-элемента или от нескольких никель-кадмиевых, никель-металлгидридных и щелочных элементов.

Входы выполнены по КМОП-технологии, поэтому усилитель подходит для высокоомных датчиков. Полоса — 3 МГц при токе 550 мкА на канал, шум — 39 нВ/√Гц. Диапазон рабочих температур промышленного класса — от −40 до +125 °C. Максимальное рекомендуемое напряжение питания — 16 В.

Характеристики

Корпус
SOIC-8
КОСС тип.
80 дБ
Число каналов
2
Технология входа
КМОП
Напряжение питания
2,7–16 В
Рабочая температура
-40…125 °C
Шум по напряжению (1 кГц)
39 нВ/√Гц
Ток потребления на канал
0,55 мА
Напряжение смещения макс.
5 мВ
Произведение усиления на полосу
3 МГц
Вес
0,398 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема TLV272IDR Texas Instruments». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.