TPS22929DDBVT, корпус SOT-23-6 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Микросхема TPS22929DDBVT Texas Instruments

Партномер (MPN)
TPS22929DDBVT
Производитель
Texas Instruments
Корпус
SOT-23-6
Тип
Микросхема
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры TPS22929DDBVT

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

TPS22929DDBVT от Texas Instruments — ключ нагрузки на P-канальном MOSFET в корпусе SOT-23-6 с входом включения активным высоким уровнем. Работает от 1,4 до 5,5 В, допускает ток до 1,8 А при 25 °C и имеет сопротивление 115 мОм при 5 В. Предусмотрены блокировка обратного тока, отключение по низкому входному напряжению, контролируемая скорость нарастания и быстрый разряд выхода через 150 Ом. Рабочий диапазон от -40 до 85 °C.

Характеристики

Корпус
SOT-23-6
Макс. ток, А
1,8
Вход включения
Активный высокий
Разряд выхода, Ом
150
Количество каналов
1
Ток покоя (тип.), мкА
2
Входное напряжение, В
1,4…5,5
Рабочая температура, °C
-40…85
Ток выключения (тип.), мкА
0,8
Сопротивление при 5 В (тип.), мОм
115
Вес
0,150 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема TPS22929DDBVT Texas Instruments». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.