MOSFET-транзистор VNS1NV04DTR-E STMicroelectronics
- Партномер (MPN)
- VNS1NV04DTR-E
- Производитель
- STMicroelectronics
- Корпус
- SOIC-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры VNS1NV04DTR-E
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
VNS1NV04DTR-E — сдвоенный защищённый MOSFET серии OMNIFET II от STMicroelectronics: в корпусе SOIC-8 два кристалла, изготовленных по технологии VIPower M0-3. Максимальное сопротивление открытого канала каждого — 250 мОм, типовое ограничение тока — 1,7 А, напряжение ограничения сток-исток — 40 В.
Каждый канал имеет линейное ограничение тока, тепловое отключение, защиту от короткого замыкания и встроенный ограничитель перенапряжения. О сбое сообщает напряжение на входном выводе, непосредственный доступ к затвору силового транзистора сохранён. Входной ток мал, защита от электростатических разрядов встроена. Допустимая температура от −40 до +150 °C.
Характеристики
- Корпус
- SOIC-8
- Конфигурация
- два канала, нижний ключ
- Рабочая температура, °C
- −40…+150
- Ограничение тока, тип., А
- 1,7
- Напряжение ограничения сток-исток, В
- 40
- Сопротивление открытого канала, макс., мОм
- 250
- Вес
- 10,700 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор VNS1NV04DTR-E STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.