ZX5T853GTA, корпус SOT-223 (типовой вид) — Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор ZX5T853GTA DIODES

Партномер (MPN): ZX5T853GTA
Производитель: DIODES
Корпус: SOT-223
Тип: Биполярный транзистор
Категория: Активные компоненты
Наличие: под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить цену и срок

Поставка под заказ, срок 4–7 недель
Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
Доставка по России транспортными компаниями
Входной контроль и условия возврата

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

ZX5T853GTA — мощный NPN-транзистор Diodes Incorporated с низким напряжением насыщения в корпусе SOT-223. Напряжение коллектор–эмиттер свыше 100 В, непрерывный ток коллектора 6 А, импульсный — 10 А.

Напряжение насыщения менее 35 мВ, эквивалентное сопротивление в открытом состоянии 36 мОм при токе 6 А, коэффициент усиления нормируется до 10 А. Граничная частота 130 МГц.

Характеристики

Корпус: SOT-223
Структура: NPN
Ток коллектора, А: 6
Граничная частота, МГц: 130
Напряжение насыщения, мВ: менее 35
Импульсный ток коллектора, А: 10
Сопротивление насыщения, мОм: 36 (при 6 А)
Напряжение коллектор–эмиттер, В: более 100
Вес: 0,321 г

Работали с этой позицией? Оставьте отзыв

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор ZX5T853GTA DIODES». Поставка под заказ от 1 шт.