MOSFET-транзистор 2N7002A-7 DIODES
- Партномер (MPN)
- 2N7002A-7
- Производитель
- DIODES
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Diodes Inc
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры 2N7002A-7
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
DIODES 2N7002A-7 — малосигнальный N-канальный полевой МОП-транзистор на кремнии, один элемент в корпусе SOT-23. Предельное напряжение сток–исток — 60 В.
Канал в открытом состоянии имеет сопротивление 6 Ом; номинальное напряжение затвора лежит в диапазоне 5–10 В, максимально допустимое — 20 В. Рассеиваемая мощность — 370 мВт.
Характеристики
- Корпус
- SOT-23
- Тип канала
- N
- Макс. напряжение затвора, В
- 20
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 370
- Макс. напряжение сток-исток, В
- 60
- Номинальное напряжение затвора, В
- 5–10
- Сопротивление открытого канала, Ом
- 6
- Вес
- 0,015 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор 2N7002A-7 DIODES». Поставка под заказ от 1 шт.