2SK1317, корпус TO-3P (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Полевой транзистор (N-канальный MOSFET) 2SK1317 Renesas

Партномер (MPN)
2SK1317
Производитель
Renesas
Корпус
TO-3P
Тип
Полевой транзистор (N-канальный MOSFET)
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры 2SK1317

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

2SK1317 — кремниевый N-канальный полевой МОП-транзистор Renesas (ранее Hitachi) в корпусе TO-3P. Главная особенность — высокое пробивное напряжение сток-исток 1500 В при постоянном токе стока 2,5 А (импульсный — до 7 А). Рассеиваемая мощность канала — 100 Вт, максимальная температура канала 150 °C.

Сопротивление открытого канала типично 9 Ом, пороговое напряжение затвора 2–4 В, предельное напряжение затвор-исток ±20 В. Транзистор рассчитан на быстрое переключение при малом токе управления и не имеет вторичного пробоя. Его применяют в импульсных стабилизаторах, DC/DC-преобразователях и приводах двигателей.

Характеристики

Тип
N-канальный MOSFET
Корпус
TO-3P
Ток стока импульсный, А
7
Ток стока постоянный, А
2,5
Рассеиваемая мощность, Вт
100
Температура канала макс., °C
150
Напряжение сток-исток макс., В
1500
Напряжение затвор-исток макс., В
±20
Сопротивление канала типовое, Ом
9
Вес
1,667 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Полевой транзистор (N-канальный MOSFET) 2SK1317 Renesas». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.