MOSFET-транзистор 2SK2608 Toshiba
- Партномер (MPN)
- 2SK2608
- Производитель
- Toshiba
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры 2SK2608
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
2SK2608 — N-канальный MOSFET Toshiba структуры μ-MOSIII для импульсных регуляторов. Напряжение сток-исток 900 В, ток стока 3 А (импульсный 9 А), мощность рассеяния 100 Вт при температуре корпуса 25 °C.
Типовое сопротивление открытого канала 3,73 Ом, пороговое напряжение затвора 2–4 В, ток утечки не более 100 мкА при 720 В. Корпус TO-220AB.
Характеристики
- Тип
- MOSFET, N-канал
- Корпус
- TO-220AB
- Ток стока, А
- 3
- Мощность рассеяния, Вт
- 100
- Импульсный ток стока, А
- 9
- Пороговое напряжение, В
- 2–4
- Напряжение сток-исток, В
- 900
- Макс. температура канала, °C
- 150
- Сопротивление канала тип., Ом
- 3,73
- Вес
- 0,635 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор 2SK2608 Toshiba». Поставка под заказ от 1 шт.