MOSFET-транзистор 2SK3075 Toshiba
- Партномер (MPN)
- 2SK3075
- Производитель
- Toshiba
- Корпус
- PW-X
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры 2SK3075
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
2SK3075 — N-канальный ВЧ-MOSFET Toshiba для усилителей мощности диапазонов VHF и UHF в аппаратуре связи. Напряжение сток-исток 30 В, ток стока 5 А, мощность рассеяния 20 Вт, рабочая частота до 520 МГц.
Максимальное напряжение затвор-исток 25 В, температура канала до 150 °C. Корпус PW-X для поверхностного монтажа, четыре вывода.
Характеристики
- Тип
- ВЧ MOSFET, N-канал
- Корпус
- PW-X
- Ток стока, А
- 5
- Мощность рассеяния, Вт
- 20
- Напряжение сток-исток, В
- 30
- Рабочая частота макс., МГц
- 520
- Напряжение затвор-исток, В
- 25
- Макс. температура канала, °C
- 150
- Вес
- 3,346 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор 2SK3075 Toshiba». Поставка под заказ от 1 шт.