2SK3557-6-TB-E, корпус SOT-23-3 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Полевой транзистор (JFET) 2SK3557-6-TB-E onsemi

Партномер (MPN)
2SK3557-6-TB-E
Производитель
onsemi
Корпус
SOT-23-3
Тип
Полевой транзистор (JFET)
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры 2SK3557-6-TB-E

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

2SK3557-6-TB-E — N-канальный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом (JFET) onsemi для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23-3. Напряжение сток-исток 15 В, пробивное напряжение затвора 15 В, максимальный ток стока 50 мА.

Входная ёмкость 10 пФ при 5 В, рассеиваемая мощность 200 мВт, максимальная температура 150 °C.

Характеристики

Тип
JFET, N-канал
Корпус
SOT-23-3
Входная ёмкость, пФ
10 (при 5 В)
Макс. температура, °C
150
Напряжение сток-исток, В
15
Максимальный ток стока, мА
50
Рассеиваемая мощность, мВт
200
Пробивное напряжение затвора, В
15
Вес
0,321 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Полевой транзистор (JFET) 2SK3557-6-TB-E onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.