Биполярный транзистор BC856BDW1T1G onsemi
- Партномер (MPN)
- BC856BDW1T1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-363
- Тип
- Биполярный транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BC856BDW1T1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BC856BDW1T1G — сборка из двух кремниевых PNP-транзисторов onsemi в корпусе SOT-363. Напряжение коллектор–эмиттер каждого — 65 В, ток коллектора — 100 мА, рассеиваемая мощность — 380 мВт.
Коэффициент усиления по току лежит в диапазоне от 220 до 475, граничная частота — 100 МГц. Транзисторы малосигнальные, общего назначения.
Характеристики
- Тип
- Сдвоенный биполярный транзистор
- Корпус
- SOT-363
- Структура
- 2 PNP
- Ток коллектора, мА
- 100
- Граничная частота, МГц
- 100
- Напряжение К–Э макс., В
- 65
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 380
- Коэффициент усиления h21E мин.
- 220
- Коэффициент усиления h21E макс.
- 475
- Вес
- 0,010 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор BC856BDW1T1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.