Биполярный транзистор BC857BDW1T1G onsemi
- Партномер (MPN)
- BC857BDW1T1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-363
- Тип
- Биполярный транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BC857BDW1T1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BC857BDW1T1G — сдвоенный биполярный PNP-транзистор малой мощности onsemi в шестивыводном корпусе SOT-363. В одном корпусе два транзистора.
- Напряжение коллектор-эмиттер до 45 В, ток коллектора 100 мА
- Коэффициент усиления по току 220–475
- Граничная частота 100 МГц, рассеиваемая мощность 380 мВт
Подходит для слаботочных ключей и усилителей в схемах, где важна экономия места на плате. Оба транзистора размещены в общем корпусе для поверхностного монтажа, поэтому пара занимает меньше места, чем два отдельных SOT-23.
Характеристики
- Тип
- Биполярный транзистор
- Корпус
- SOT-363
- Структура
- 2 × PNP
- Ток коллектора, мА
- 100
- Граничная частота, МГц
- 100
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 380
- Коэффициент усиления h21E мин.
- 220
- Коэффициент усиления h21E макс.
- 475
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 45
- Вес
- 0,014 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор BC857BDW1T1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.