MOSFET-транзистор BSS123LT1G onsemi
- Партномер (MPN)
- BSS123LT1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSS123LT1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Малосигнальный N-канальный MOSFET onsemi BSS123LT1G в корпусе SOT-23: 100 В, ток стока 170 мА, сопротивление открытого канала 6 Ом при затворе 10 В.
Максимальное напряжение затвора 20 В, ёмкость затвора 20 пФ, рассеиваемая мощность 225 мВт.
Максимальное напряжение 100 В при токе 170 мА делает транзистор подходящим для слаботочных ключей на повышенных напряжениях. Корпус SOT-23 занимает на плате минимум места.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Корпус
- SOT-23
- Ток стока, мА
- 170
- Мощность, мВт
- 225
- Ёмкость затвора, пФ
- 20
- Сопротивление канала, Ом
- 6 (при 10 В)
- Напряжение затвора макс., В
- 20
- Напряжение сток-исток макс., В
- 100
- Вес
- 0,024 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSS123LT1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.