MOSFET-транзистор BSS83P Infineon
- Партномер (MPN)
- BSS83P
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSS83P
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSS83P — маломощный P-канальный MOSFET серии SIPMOS производства Infineon в корпусе SOT-23. Работает в режиме обогащения, рассчитан на управление логическими уровнями, устойчив к лавинному пробою и к скорости нарастания напряжения dv/dt.
Максимальное напряжение сток-исток −60 В, постоянный ток стока −0,33 А (−0,27 А при 70 °C), импульсный ток −1,32 А. Рассеиваемая мощность 360 мВт, напряжение затвор-исток до ±20 В, заряд затвора 3,57 нКл, рабочая температура −55…+150 °C.
Характеристики
- Корпус
- SOT-23
- Тип канала
- P
- Заряд затвора, нКл
- 3,57
- Рабочая температура, °C
- −55…+150
- Ток стока импульсный, А
- −1,32
- Ток стока постоянный, А
- −0,33
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 360
- Напряжение сток-исток макс., В
- −60
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±20
- Вес
- 0,159 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSS83P Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.