MOSFET-транзистор BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSZ110N06NS3GATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TSDSON-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSZ110N06NS3GATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSZ110N06NS3GATMA1 — N-канальный MOSFET Infineon поколения OptiMOS 3 на 60 В в корпусе TSDSON-8 для поверхностного монтажа. Ток стока — 20 А, сопротивление открытого канала — 11 мОм, заряд затвора — 25 нКл.
- Номинальное напряжение на затворе: 4,5–10 В
- Конфигурация: один N-канальный транзистор
- Заказной номер оканчивается суффиксом ATMA1
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 3
- Корпус
- TSDSON-8
- Ток стока, А
- 20
- Заряд затвора, нКл
- 25
- Напряжение затвора, В
- 4,5–10
- Сопротивление канала, мОм
- 11
- Напряжение сток-исток макс., В
- 60
- Вес
- 0,235 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.