MOSFET-транзистор FDN306P onsemi
- Партномер (MPN)
- FDN306P
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры FDN306P
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
FDN306P от onsemi — P-канальный MOSFET серии PowerTrench в корпусе SuperSOT-3 (SOT-23) для поверхностного монтажа. Гарантированно работает от напряжения на затворе 1,8 В, что удобно для низковольтных схем управления.
- Напряжение сток-исток — −12 В
- Ток стока — 2,6 А
- Сопротивление открытого канала — 40 мОм при затворе −4,5 В
- Пороговое напряжение затвора — около −0,6 В
- Заряд затвора — 12 нКл
Компактный корпус и низкое сопротивление канала позволяют использовать транзистор как ключ на стороне положительной шины питания.
Характеристики
- Тип
- P-канальный MOSFET (PowerTrench)
- Корпус
- SuperSOT-3 (SOT-23)
- Ток стока, А
- 2,6
- Заряд затвора, нКл
- 12
- Напряжение сток-исток, В
- −12
- Сопротивление канала при −4,5 В, мОм
- 40
- Пороговое напряжение затвора (тип.), В
- −0,6
- Вес
- 0,052 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор FDN306P onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.