FDS4435BZ, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор FDS4435BZ onsemi

Партномер (MPN)
FDS4435BZ
Производитель
onsemi
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы onsemi
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры FDS4435BZ

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

P-канальный MOSFET FDS4435BZ серии PowerTrench от onsemi рассчитан на напряжение −30 В между стоком и истоком. Ток стока 8,8 А при 25 °C, сопротивление открытого канала 20–35 мОм, заряд затвора 16 нКл. Напряжение затвора 4,5–10 В, корпус SOP-8. Параметры относятся к одному P-канальному транзистору в корпусе.

Характеристики

Серия
PowerTrench
Тип канала
P
Заряд затвора, нКл
16
Ток стока при 25 °C, А
8,8
Напряжение затвора, В
4,5–10
Напряжение сток-исток, В
−30
Сопротивление канала, мОм
20–35
Вес
0,635 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор FDS4435BZ onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.