MOSFET-транзистор FDS6680A onsemi
- Партномер (MPN)
- FDS6680A
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- SOIC-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры FDS6680A
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
FDS6680A — одиночный N-канальный Power Trench MOSFET логического уровня от onsemi в корпусе SOIC-8. Напряжение сток-исток 30 В, ток стока 12,5 А, сопротивление открытого канала 9,5 мОм при 10 В (до 13 мОм), импульсный ток 50 А. Пороговое напряжение затвора 1–2 В, заряд затвора 16 нКл, мощность 2,5 Вт.
Характеристики
- Корпус
- SOIC-8
- Тип канала
- N, логический уровень
- Ток стока, А
- 12,5
- Мощность, Вт
- 2,5
- Импульсный ток, А
- 50
- Заряд затвора, нКл
- 16
- Пороговое напряжение, В
- 1–2
- Напряжение сток-исток, В
- 30
- Сопротивление канала, мОм
- 9,5 (макс. 13)
- Вес
- 0,476 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор FDS6680A onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.