FQD11P06, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор FQD11P06 onsemi

Партномер (MPN)
FQD11P06
Производитель
onsemi
Корпус
TO-252
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы onsemi
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры FQD11P06

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

onsemi FQD11P06 — P-канальный MOSFET серии QFET в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток −60 В, ток стока −9,4 А при 25 °C, сопротивление открытого канала 185 мОм при затворе 10 В. Типичный заряд затвора 13 нКл, Crss 45 пФ, стопроцентный контроль на лавинный пробой, рабочая температура от −55 до +150 °C.

Характеристики

Канал
P
Корпус
TO-252
Ёмкость Crss, пФ
45
Заряд затвора, нКл
13
Ток стока при 25 °C, А
−9,4
Напряжение затвора, В
10
Рабочая температура, °C
−55…+150
Напряжение сток-исток, В
−60
Сопротивление канала, мОм
185
Вес
0,400 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор FQD11P06 onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.