MOSFET-транзистор FQD3N50C onsemi
- Партномер (MPN)
- FQD3N50C
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-252
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры FQD3N50C
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
FQD3N50C — N-канальный MOSFET-транзистор onsemi серии QFET в корпусе TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа. Максимальное напряжение сток-исток 500 В, постоянный ток стока 2,5 А при 25 °C и 1,5 А при 100 °C, импульсный ток до 10 А.
- Сопротивление открытого канала 2,5 Ом при напряжении затвор-исток 10 В и токе стока 1,25 А
- Заряд затвора около 10 нКл, проходная ёмкость Crss около 8,5 пФ (типовые значения)
- Диапазон рабочих температур от −55 до +150 °C
Характеристики
- Корпус
- TO-252 (DPAK)
- Тип канала
- N
- Ток стока при 25 °C, А
- 2,5
- Ток стока при 100 °C, А
- 1,5
- Заряд затвора тип., нКл
- 10
- Рабочая температура, °C
- −55…+150
- Напряжение сток-исток макс., В
- 500
- Сопротивление открытого канала, Ом
- 2,5 (Vgs 10 В, Id 1,25 А)
- Вес
- 0,321 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор FQD3N50C onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.