GaN-транзистор IGO60R070D1AUMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IGO60R070D1AUMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- DSO-20
- Тип
- GaN-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IGO60R070D1AUMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IGO60R070D1AUMA1 — силовой GaN-транзистор серии CoolGaN производства Infineon на 600 В с сопротивлением открытого канала 70 мОм в корпусе DSO-20 для поверхностного монтажа. Это HEMT enhancement-типа (нормально закрытый) с n-каналом.
- Сверхбыстрое переключение
- Отсутствует заряд обратного восстановления
- Возможна проводимость в обратном направлении
- Малые заряд затвора и выходной заряд
Характеристики
- Тип
- GaN-транзистор (HEMT), n-канал
- Корпус
- DSO-20
- Напряжение сток-исток, В
- 600
- Сопротивление открытого канала, мОм
- 70
- Вес
- 10,945 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «GaN-транзистор IGO60R070D1AUMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.