IGBT-транзистор IGW75N60H3FKSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IGW75N60H3FKSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-247-3
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IGW75N60H3FKSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IGW75N60H3FKSA1 — IGBT-транзистор Infineon на 600 В в корпусе TO-247-3, выполнен по технологии Trench Field Stop. Ток коллектора 140 А при 25 °C, напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2,3 В, рассеиваемая мощность 428 Вт.
Время включения 31 нс, выключения 265 нс, заряд затвора 470 нКл.
Характеристики
- Тип
- IGBT, Trench Field Stop
- Корпус
- TO-247-3
- Заряд затвора
- 470 нКл
- Время включения
- 31 нс
- Время выключения
- 265 нс
- Мощность рассеяния
- 428 Вт
- Напряжение К-Э макс., В
- 600
- Ток коллектора при 25 °C
- 140 А
- Напряжение насыщения К-Э
- 2,3 В
- Вес
- 3,124 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор IGW75N60H3FKSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.