IGBT-транзистор IKA10N65ET6XKSA2 Infineon
- Партномер (MPN)
- IKA10N65ET6XKSA2
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220F
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IKA10N65ET6XKSA2
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IKA10N65ET6XKSA2 — IGBT производства Infineon на 650 В со структурой Trench Field Stop в корпусе TO-220 FullPAK. Максимальный ток коллектора при 25 °C — 15 А, напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 1,5 В, рассеиваемая мощность — 40 Вт.
Заряд затвора — 27 нКл, время включения — 30 нс, выключения — 123 нс. Время восстановления встроенного диода — 51 нс.
Характеристики
- Корпус
- TO-220 FullPAK
- Структура
- Trench Field Stop
- Мощность, Вт
- 40
- Заряд затвора, нКл
- 27
- Время включения, нс
- 30
- Время выключения, нс
- 123
- Напряжение насыщения, В
- 1,5
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 15
- Время восстановления диода, нс
- 51
- Напряжение коллектор-эмиттер, В
- 650
- Вес
- 0,686 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор IKA10N65ET6XKSA2 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.