IGBT-транзистор IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IKZA50N65RH5XKSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-247-4
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IKZA50N65RH5XKSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Infineon IKZA50N65RH5XKSA1 — IGBT на 650 В, рассчитанный на 50 А. Построен по схеме Trench Field Stop, к транзистору добавлен диод CoolSiC. При 25 °C коллекторный ток равен 80 А; К-Э насыщение 2,1 В, мощность 305 Вт, заряд на затворе 120 нКл, переключение: 21 нс на включение и 180 нс на выключение.
Характеристики
- Технология
- Trench Field Stop, диод CoolSiC
- Мощность, Вт
- 305
- Заряд затвора, нКл
- 120
- Номинальный ток, А
- 50
- Время включения, нс
- 21
- Время выключения, нс
- 180
- Напряжение К-Э макс., В
- 650
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 80
- Напряжение насыщения К-Э, В
- 2,1
- Вес
- 8,640 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.