SiC MOSFET-транзистор IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IMW120R030M1HXKSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-247
- Тип
- SiC MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IMW120R030M1HXKSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IMW120R030M1HXKSA1 от Infineon — N-канальный силовой SiC MOSFET из линейки CoolSiC на 1200 В в корпусе TO-247. Сопротивление открытого канала 30 мОм, номинальный ток стока при 25 °C 56 А.
Управляется напряжением затвора 15–18 В, предельное напряжение затвора 23 В, полный заряд затвора 63 нКл. Карбид кремния даёт низкие потери при переключении, что важно для преобразователей и инверторов высокого напряжения.
Характеристики
- Тип
- SiC MOSFET
- Корпус
- TO-247
- Полярность
- N-канал
- Заряд затвора
- 63 нКл
- Ток стока при 25 °C
- 56 А
- Напряжение затвора макс.
- 23 В
- Напряжение затвора рабочее
- 15–18 В
- Напряжение сток-исток макс.
- 1200 В
- Сопротивление открытого канала
- 30 мОм
- Вес
- 17,742 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «SiC MOSFET-транзистор IMW120R030M1HXKSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.