IKW15N120H3, корпус TO-247 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

IGBT-транзистор IKW15N120H3 Infineon

Партномер (MPN)
IKW15N120H3
Производитель
Infineon
Корпус
TO-247
Тип
IGBT-транзистор
Категория
IGBT Infineon
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IKW15N120H3

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IKW15N120H3 — высокоскоростной IGBT серии TRENCHSTOP (Trench и Fieldstop) компании Infineon в корпусе TO-247 со встроенным антипараллельным диодом мягкого быстрого восстановления. Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, номинальный ток 15 А (30 А при 25 °C), импульсный ток до 60 А.

Напряжение насыщения VCEsat не более 2,4 В при 15 А, время восстановления диода 260 нс, рассеиваемая мощность 217 Вт, заряд затвора 75 нКл, максимальная температура перехода 175 °C.

Характеристики

Корпус
TO-247
Структура
IGBT с антипараллельным диодом
Ток при 25 °C, А
30
Импульсный ток, А
60
Номинальный ток, А
15
Напряжение насыщения, В
2,4 макс. (15 А)
Рассеиваемая мощность, Вт
217
Температура перехода макс., °C
175
Время восстановления диода, нс
260
Напряжение коллектор-эмиттер, В
1200
Вес
2,780 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор IKW15N120H3 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.