IGBT-транзистор IRGP30B120KD-EP Infineon
- Партномер (MPN)
- IRGP30B120KD-EP
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-247
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- IGBT Infineon
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IRGP30B120KD-EP
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IRGP30B120KD-EP — N-канальный IGBT на технологии Non Punch Through (NPT) компании Infineon в корпусе TO-247AD, со встроенным антипараллельным диодом сверхмягкого восстановления. Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, ток коллектора 60 А, рассеиваемая мощность 300 Вт.
Напряжение насыщения VCE(on) 2,28 В (тип.) при токе 25 А и напряжении затвора 15 В, устойчивость к короткому замыканию 10 мкс, квадратная область безопасной работы при обратном смещении, диапазон температур −55…+150 °C.
Характеристики
- Корпус
- TO-247AD
- Структура
- N-канальный IGBT с диодом
- Температура, °C
- −55…+150
- Ток коллектора, А
- 60
- Напряжение насыщения, В
- 2,28 (тип., 25 А, VGE 15 В)
- Допустимое время КЗ, мкс
- 10
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 300
- Напряжение коллектор-эмиттер, В
- 1200
- Напряжение затвор-эмиттер макс., В
- ±20
- Вес
- 12,900 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор IRGP30B120KD-EP Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.