MOSFET-транзистор IPP80N08S2L07AKSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPP80N08S2L07AKSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPP80N08S2L07AKSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPP80N08S2L07AKSA1 — N-канальный MOSFET серии OptiMOS производства Infineon на 75 В и 80 А в корпусе TO-220. Исполнение с управлением логическим уровнем, квалификация AEC-Q101, рабочая температура от −55 до +175 °C.
- Мощность рассеяния: 300 Вт
- Заряд затвора: 183 нКл
- Максимальное напряжение затвора: 20 В
Характеристики
- Тип
- MOSFET N-канал, логический уровень
- Корпус
- TO-220
- Ток стока, А
- 80
- Температура, °C
- −55…+175
- Заряд затвора, нКл
- 183
- Мощность рассеяния, Вт
- 300
- Напряжение сток-исток, В
- 75
- Вес
- 4,854 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPP80N08S2L07AKSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.