MOSFET-транзистор IPP200N25N3GXKSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPP200N25N3GXKSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPP200N25N3GXKSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPP200N25N3GXKSA1 — N-канальный MOSFET Infineon семейства OptiMOS 3 в выводном корпусе TO-220 с тремя выводами и контактной пластиной. Максимальное напряжение сток-исток — 250 В, ток стока при 25 °C — 64 А.
Сопротивление открытого канала — 20 мОм, заряд затвора — 64 нКл. Диапазон управляющего напряжения затвора — от 4,5 до 10 В, что позволяет открывать канал сравнительно низким напряжением. Упаковка — туба.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 3
- Корпус
- TO-220
- Упаковка
- туба
- Заряд затвора, нКл
- 64
- Ток стока при 25 °C, А
- 64
- Напряжение сток-исток, В
- 250
- Сопротивление канала, мОм
- 20
- Управляющее напряжение затвора, В
- 4,5…10
- Вес
- 3,750 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPP200N25N3GXKSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.