MOSFET-транзистор IPN50R3K0CEATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPN50R3K0CEATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOT-223
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPN50R3K0CEATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPN50R3K0CEATMA1 — N-канальный MOSFET серии CoolMOS CE производства Infineon на 500 В, ток стока 1,7 А, в корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Серия построена по принципу суперперехода: очень малые потери (по произведению RDS(on) на заряд затвора и энергии выходной ёмкости) и высокая устойчивость к коммутационным выбросам.
- Заряд затвора: 4,3 нКл
- Мощность рассеяния: 5 Вт
- Выводы без свинца, безгалогенный компаунд
Характеристики
- Тип
- MOSFET N-канал
- Корпус
- SOT-223
- Ток стока, А
- 1,7
- Заряд затвора, нКл
- 4,3
- Мощность рассеяния, Вт
- 5
- Напряжение сток-исток, В
- 500
- Вес
- 0,963 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPN50R3K0CEATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.