MOSFET-транзистор IPL60R650P6SATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPL60R650P6SATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- PGHSOF8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPL60R650P6SATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPL60R650P6SATMA1 — N-канальный MOSFET Infineon из серии CoolMOS P6 в 8-выводном корпусе ThinPAK 8×8 с открытой контактной площадкой. Напряжение сток-исток — 600 В, ток стока — 6,7 А.
Корпус ThinPAK безвыводной, для поверхностного монтажа, имеет открытую площадку для отвода тепла; упаковка — лента (T/R). Серия P6 относится к технологии суперперехода (superjunction) Infineon.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- CoolMOS P6
- Корпус
- ThinPAK 8×8, 8 выводов
- Упаковка
- лента
- Ток стока, А
- 6,7
- Напряжение сток-исток, В
- 600
- Вес
- 4 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPL60R650P6SATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.