MOSFET-транзистор IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPD50R1K4CEBTMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-252
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPD50R1K4CEBTMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPD50R1K4CEBTMA1 — высоковольтный N-канальный MOSFET серии CoolMOS CE (технология суперперехода) производства Infineon на 500 В с сопротивлением открытого канала 1,4 Ом. Корпус TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа.
- Заряд затвора: 8,2 нКл
- Мощность рассеяния: 25 Вт
- Максимальное напряжение затвора: 20 В
Построен по принципу суперперехода: потери по произведению RDS(on) на заряд затвора и энергии выходной ёмкости очень малы, коммутационная стойкость высокая.
Характеристики
- Тип
- MOSFET N-канал
- Корпус
- TO-252
- Заряд затвора, нКл
- 8,2
- Мощность рассеяния, Вт
- 25
- Напряжение сток-исток, В
- 500
- Сопротивление открытого канала, Ом
- 1,4
- Вес
- 0,198 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.