MOSFET-транзистор IPD135N03LGATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPD135N03LGATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-252
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPD135N03LGATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPD135N03LGATMA1 — N-канальный транзистор Infineon из серии OptiMOS 3, корпус DPAK (TO-252). Допустимое напряжение сток–исток — 30 В, ток стока 30 А при 25 °C. Сопротивление открытого канала составляет 13,5 мОм, а при управлении 4,5 В не превышает 20,5 мОм.
Затвор управляется напряжением от 4,5 до 10 В; заряд затвора 10 нКл.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 3
- Корпус
- TO-252 (DPAK)
- Заряд затвора, нКл
- 10
- Ток стока при 25 °C, А
- 30
- Напряжение затвора, В
- 4,5–10
- Напряжение сток–исток, В
- 30
- Сопротивление канала, мОм
- 13,5
- Вес
- 0,365 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPD135N03LGATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.