MOSFET-транзистор IPD135N08N3GATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPD135N08N3GATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-252
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPD135N08N3GATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPD135N08N3GATMA1 — N-канальный силовой MOSFET Infineon семейства OptiMOS 3 в корпусе TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа. Максимальное напряжение сток-исток — 80 В, ток стока при 25 °C — 45 А.
Сопротивление открытого канала — 13,5 мОм, заряд затвора — 19 нКл. Небольшой заряд затвора при низком сопротивлении канала даёт малые потери при проводимости и переключении. Затвор управляется напряжением 10 В; компактный корпус удобен для плотной компоновки силовых узлов.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 3
- Корпус
- TO-252
- Заряд затвора, нКл
- 19
- Ток стока при 25 °C, А
- 45
- Сопротивление канала, мОм
- 13,5
- Напряжение сток-исток макс., В
- 80
- Вес
- 0,745 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPD135N08N3GATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.