MOSFET-транзистор IPB64N25S320ATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPB64N25S320ATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-263
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPB64N25S320ATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPB64N25S320ATMA1 от Infineon — N-канальный силовой транзистор в корпусе TO-263 с квалификацией AEC-Q101. Рассчитан на 250 В между стоком и истоком и ток 64 А при 25 °C; сопротивление открытого канала — 20 мОм при 10 В на затворе.
Заряд затвора 67 нКл, входная ёмкость 7000 пФ, мощность рассеяния 300 Вт, предельное напряжение затвор–исток 20 В.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Корпус
- TO-263
- Квалификация
- AEC-Q101
- Заряд затвора, нКл
- 67
- Входная ёмкость, пФ
- 7000
- Ток стока при 25 °C, А
- 64
- Напряжение сток–исток, В
- 250
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 300
- Сопротивление канала, мОм
- 20
- Напряжение затвор–исток макс., В
- 20
- Вес
- 5,638 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPB64N25S320ATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.