MOSFET-транзистор IPB020N10N5ATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPB020N10N5ATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-263
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPB020N10N5ATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPB020N10N5ATMA1 — силовой транзистор Infineon из семейства OptiMOS 5, N-канал, исполнение для автомобильной электроники, корпус D2PAK (TO-263). Выдерживает 100 В между стоком и истоком и пропускает 176 А при температуре 25 °C; канал в открытом состоянии имеет сопротивление 2 мОм.
Затвор открывается напряжением 4,5–10 В, суммарный заряд затвора равен 168 нКл.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 5
- Корпус
- TO-263 (D2PAK)
- Заряд затвора, нКл
- 168
- Ток стока при 25 °C, А
- 176
- Напряжение затвора, В
- 4,5–10
- Напряжение сток–исток, В
- 100
- Сопротивление канала, мОм
- 2
- Вес
- 2,113 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPB020N10N5ATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.