MOSFET-транзистор IPB123N10N3GATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPB123N10N3GATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-263
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPB123N10N3GATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Infineon IPB123N10N3GATMA1 — N-канальный транзистор серии OptiMOS 3 в корпусе D2PAK (TO-263). Предельное напряжение сток–исток — 100 В, ток 58 А при 25 °C. В открытом состоянии канал имеет сопротивление 12,3 мОм.
Управляющее напряжение затвора — 4,5–10 В, заряд затвора — 26 нКл.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 3
- Корпус
- TO-263 (D2PAK)
- Заряд затвора, нКл
- 26
- Ток стока при 25 °C, А
- 58
- Напряжение затвора, В
- 4,5–10
- Напряжение сток–исток, В
- 100
- Сопротивление канала, мОм
- 12,3
- Вес
- 2,140 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPB123N10N3GATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.