MOSFET-транзистор IPB200N25N3 G Infineon
- Партномер (MPN)
- IPB200N25N3 G
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-263
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPB200N25N3 G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPB200N25N3 G — N-канальный MOSFET серии OptiMOS 3 производства Infineon на 250 В с током стока 64 А и сопротивлением открытого канала до 20 мОм. Корпус TO-263 (D²PAK) для поверхностного монтажа, рассеиваемая мощность 300 Вт, рабочая температура до +175 °C.
- Заряд затвора: 86 нКл
- Максимальное напряжение затвора: 20 В
- Низкое произведение заряда затвора на RDS(on)
Характеристики
- Тип
- MOSFET N-канал
- Корпус
- TO-263
- Ток стока, А
- 64
- Заряд затвора, нКл
- 86
- Мощность рассеяния, Вт
- 300
- Напряжение сток-исток, В
- 250
- Сопротивление открытого канала, мОм
- 20
- Вес
- 3,640 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPB200N25N3 G Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.