MOSFET-транзистор IPB60R120P7ATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPB60R120P7ATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-263
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPB60R120P7ATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPB60R120P7ATMA1 — N-канальный MOSFET Infineon серии CoolMOS P7 на 600 В в корпусе TO-263 (D2PAK). Ток стока — 26 А, сопротивление открытого канала — не более 120 мОм, заряд затвора 36 нКл типично.
- Импульсный ток стока 78 А
- Рассеиваемая мощность 95 Вт
- Максимальное напряжение затвор–исток 20 В
- Рабочая температура −55…150 °C
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- CoolMOS P7
- Корпус
- TO-263 (D2PAK)
- Ток стока, А
- 26
- Импульсный ток стока, А
- 78
- Рабочая температура, °C
- −55…150
- Заряд затвора (тип.), нКл
- 36
- Напряжение сток–исток, В
- 600
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 95
- Сопротивление канала макс., мОм
- 120
- Напряжение затвор–исток макс., В
- 20
- Вес
- 2,510 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPB60R120P7ATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.