MOSFET-транзистор IPB011N04LG Infineon
- Партномер (MPN)
- IPB011N04LG
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-263-7
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPB011N04LG
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPB011N04LG — N-канальный силовой MOSFET производства Infineon на 40 В и 180 А в семивыводном корпусе TO-263-7 (D²PAK 7-pin). Мощность рассеяния — 250 Вт, рабочая температура перехода до +175 °C, управление логическим уровнем (индекс L в обозначении).
Корпус с несколькими выводами истока снижает сопротивление выводов; транзистор рассчитан на синхронное выпрямление и быстрые DC-DC преобразователи.
Характеристики
- Тип
- MOSFET N-канал
- Корпус
- TO-263-7
- Ток стока, А
- 180
- Температура, °C
- −55…+175
- Мощность рассеяния, Вт
- 250
- Напряжение сток-исток, В
- 40
- Вес
- 5,666 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPB011N04LG Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.