MOSFET-транзистор IPA60R099P7XKSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPA60R099P7XKSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-220FP
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPA60R099P7XKSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IPA60R099P7XKSA1 — N-канальный MOSFET Infineon из серии CoolMOS P7 в полностью изолированном корпусе TO-220FP. Максимальное напряжение сток–исток — 650 В, номинальный ток стока при 25 °C — 31 А, сопротивление открытого канала — 99 мОм.
- Заряд затвора 45 нКл, входная ёмкость 1952 пФ
- Рассеиваемая мощность 29 Вт
- Пороговое напряжение затвора от 3 В с разбросом ±0,5 В
- Защита затвора от электростатики (ESD класса HBM)
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- CoolMOS P7
- Корпус
- TO-220FP
- Заряд затвора, нКл
- 45
- Входная ёмкость, пФ
- 1952
- Ток стока при 25 °C, А
- 31
- Напряжение сток–исток, В
- 650
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 29
- Сопротивление канала, мОм
- 99
- Вес
- 5,294 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPA60R099P7XKSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.