MOSFET-транзистор IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-252
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IPD50R1K4CEAUMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Infineon IPD50R1K4CEAUMA1 — высоковольтный N-канальный транзистор серии CoolMOS CE в корпусе DPAK (TO-252). Выдерживает 500 В между стоком и истоком, ток стока — 3,1 А при 25 °C. Канал в открытом состоянии — 1,4 Ом при 13 В на затворе.
Заряд затвора — 8,2 нКл, ёмкость затвора 178 пФ, мощность рассеяния 25 Вт, максимальное напряжение затвор–исток 20 В.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- CoolMOS CE
- Корпус
- TO-252 (DPAK)
- Заряд затвора, нКл
- 8,2
- Входная ёмкость, пФ
- 178
- Ток стока при 25 °C, А
- 3,1
- Сопротивление канала, Ом
- 1,4
- Напряжение сток–исток, В
- 500
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 25
- Напряжение затвор–исток макс., В
- 20
- Вес
- 0,184 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.